40-нм память Samsung DRAM прошла сертификацию
Компания Samsung сообщила о создании и утверждении первой микросхемы и модуля DRAM с применением 40-нм технологии. Новый компонент DDR2 емкостью 1 Гбит и соответствующий модуль SODIMM DDR2 емкостью 1 ГБ со скоростью работы 800 Мбит/с, созданные по 40-нм технологии, прошли сертификацию по программе проверки соответствия платформе Intel для применения с серией чипсетов Intel GM45 Express для мобильных устройств.
Применение 40-нм технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нм технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%.
Представители Samsung также рассчитывают, что переход на 40-нанометровый техпроцесс позволит вдвое сократить период, который проходит с момента изготовления изделия до его выхода на рынок. В настоящее время он составляет два года. На начальном этапе новые микросхемы памяти будут использоваться преимущественно в ноутбуках.
Массовое производство микросхем DRAM по 40-нанометровой методике «Самсунг» планирует освоить в конце текущего года. На начальном этапе компания будет поставлять модули DDR3 емкостью 2 Гбит. В 2010 году на рынке также появятся микросхемы DDR2, изготовленные с использованием нового техпроцесса.
---
Недавно компания Samsung представила четырехгигабитные микросхемы памяти DDR3, созданные с соблюдением 50-нанометрового техпроцесса. До конца текущего года Samsung планирует начать выпуск микросхем памяти DDR3 объемом два гигабита по 40-нанометровой технологии.
В гигабитах (Gb) традиционно измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.
Текст:
И. Демидова
Представители Samsung также рассчитывают, что переход на 40-нанометровый техпроцесс позволит вдвое сократить период, который проходит с момента изготовления изделия до его выхода на рынок. В настоящее время он составляет два года. На начальном этапе новые микросхемы памяти будут использоваться преимущественно в ноутбуках.
Массовое производство микросхем DRAM по 40-нанометровой методике «Самсунг» планирует освоить в конце текущего года. На начальном этапе компания будет поставлять модули DDR3 емкостью 2 Гбит. В 2010 году на рынке также появятся микросхемы DDR2, изготовленные с использованием нового техпроцесса.
---
Недавно компания Samsung представила четырехгигабитные микросхемы памяти DDR3, созданные с соблюдением 50-нанометрового техпроцесса. До конца текущего года Samsung планирует начать выпуск микросхем памяти DDR3 объемом два гигабита по 40-нанометровой технологии.
В гигабитах (Gb) традиционно измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.
Текст:
И. Демидова
Комментарии